A.Cu-Sn-Al
B.Al-Sn-Cu
C.Cu-Al-Sn
D.Sn-Cu-Al
E.Al-Cu-Sn
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A.可應(yīng)用鐳療計(jì)量學(xué)體系
B.均為鐳的替代用品
C.半價(jià)層值隨著能量降低顯著減少
D.在5cm范圍內(nèi),劑量分布幾倍遵守平方反比規(guī)律
E.劑量率常數(shù)隨著能量和組織結(jié)構(gòu)變化
A.指型電離室
B.半導(dǎo)體探測(cè)器
C.中子探測(cè)器
D.閃爍計(jì)數(shù)器
E.正比計(jì)數(shù)器
A.射線束能量高
B.射線束劑量率高
C.放射源尺寸大
D.曝光時(shí)間長(zhǎng)
E.照射距離長(zhǎng)
A.也稱為Kerma
B.從間接電離輻射轉(zhuǎn)移到直接電離輻射的平均數(shù)量
C.不考慮能量轉(zhuǎn)移后的情況
D.沉積在單位質(zhì)量中的能量
E.適用于非直接電離輻射的一個(gè)非隨機(jī)量
A.95%
B.90%
C.85%
D.80%
E.75%
最新試題
影響靶點(diǎn)位置精確度的因素包括機(jī)械精度,定位精度和擺位精度。
隨能量增大,光電效應(yīng)發(fā)生的概率迅速減小。
電離室型劑量?jī)x在每次測(cè)量前必需對(duì)氣溫和氣壓進(jìn)行修正。
對(duì)射野輸出劑量的檢測(cè)頻率,加速器高于鈷60機(jī)。
百分深度劑量受照射野面積的影響。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。
LET=()Kev/μm 是高低LET 射線的分界線。
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡(jiǎn)稱分別為QA、QC。
射野中心軸上百分深度劑量值的大小直接反應(yīng)了射線質(zhì)(能量)的高低。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。