A.3～4
B.4.5～5
C.5.5～6
D.6.5～7
E.7～10
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A.劑量建成區(qū)
B.低劑量坪區(qū)
C.高劑量坪區(qū)
D.X射線污染區(qū)
E.劑量跌落區(qū)
A.照射野平面上出現(xiàn)幾率最大的電子的能量
B.照射野平面上電子的平均能量
C.照射野平面上電子的最大能量
D.照射野平面上1╱3最大電子能量
E.照射野平面上最大射程的電子的能量
A.居里
B.倫琴
C.Gy
D.庫(kù)侖
E.希弗
A.單位劑量大
B.靶區(qū)周邊劑量變化梯度大
C.要求高精確度定位
D.對(duì)輻射抗拒的病灶細(xì)胞無(wú)效
E.靶區(qū)劑量分布不均勻
A.MeV
B.J
C.cm-1
D.MeVcm-1
E.Sv
最新試題
隨能量增大，光電效應(yīng)發(fā)生的概率迅速減小。
電磁掃描調(diào)強(qiáng)不僅具有X 射線光子的利用率高、治療時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn)，而且可實(shí)現(xiàn)電子束、質(zhì)子束的調(diào)強(qiáng)治療。
帶電粒子入射到物體時(shí)，沒(méi)有確定的射程。
低LET射線的RBE值（）1.0，高LET射線的RBE值（）2.0。
射線能量越高，百分深度劑量隨射野面積的改變?cè)叫 ?/p>
半影為射野邊緣劑量隨離開(kāi)中心軸距離增加而急劇變化的范圍。
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡(jiǎn)稱分別為QA、QC。
準(zhǔn)直器所產(chǎn)生的散射線對(duì)劑量的貢獻(xiàn)主要源于二級(jí)準(zhǔn)直器。
LET=（）Kev/μm 是高低LET 射線的分界線。
質(zhì)子束的優(yōu)勢(shì)在于布拉格峰形百分深度劑量分布。