試說明半導體制造中擴散工藝的主要目的。列出并解釋實際擴散工藝的主要步驟，并說明個步驟的主要作用和工藝溫度。

說明氧化氣氛對擴散有何影響及原因？

PN 結的單向導電性與外加電壓頻率無關。

試說明橫向擴散以及橫向擴散的主要影響。

明兩步擴散法的基本思想，及其每一步工藝的主要特點和目的。

純凈的半導體稱為本征半導體。

若在直流電路中硅二極管導通，則其導通電壓均可認為0.7V。

本征半導體導電性能很差。

在PN 結形成過程中，空穴的擴散運動方向是從P 區(qū)到N 區(qū)。

結電容是常量。