問(wèn)答題試說(shuō)明半導(dǎo)體制造中擴(kuò)散工藝的主要目的。列出并解釋實(shí)際擴(kuò)散工藝的主要步驟，并說(shuō)明個(gè)步驟的主要作用和工藝溫度。
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列出并解釋替位雜質(zhì)在硅中的三種主要擴(kuò)散機(jī)制。
題型：?jiǎn)柎痤}
說(shuō)明氧化氣氛對(duì)擴(kuò)散有何影響及原因？
題型：?jiǎn)柎痤}
純凈的半導(dǎo)體稱(chēng)為本征半導(dǎo)體。
題型：判斷題
發(fā)射區(qū)推進(jìn)效應(yīng)
題型：名詞解釋
淀積擴(kuò)散主要受哪些因素的控制？
題型：?jiǎn)柎痤}
自由電子是載流子，空穴不是。
題型：判斷題
明兩步擴(kuò)散法的基本思想，及其每一步工藝的主要特點(diǎn)和目的。
題型：?jiǎn)柎痤}
與多數(shù)載流子相比，少數(shù)載流子的濃度受溫度影響大。
題型：判斷題
在PN 結(jié)形成過(guò)程中，空穴的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)方向是從P 區(qū)到N 區(qū)。
題型：判斷題
半導(dǎo)體獲得廣泛應(yīng)用的原因是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題