設計一個CMOS反相器, NMOS:VTN=0.6V μNCOX=60uA/V2 PMOS:VTP=-0.7V μPCOX=25uA/V2 電源電壓為3.3V,LN=LP=0.8um
采用0.35um工藝的CMOS反相器,相關參數(shù)如下: VDD=3.3V NMOS:VTN=0.6V μNCOX =60uA/V2 (W/L)N=8 PMOS:VTP=-0.7V μpCOX =25uA/V2 (W/L)P=12 求電路的噪聲容限及邏輯閾值。
考慮一個具有如下參數(shù)的CMOS反相器電路: VDD=3.3V VTN=0.6V VTP=-0.7V KN=200uA/V2 Kp=80uA/V2 計算電路的噪聲容限。
最新試題
說明氧化氣氛對擴散有何影響及原因?
在P 型半導體中,空穴濃度大于自由電子濃度。
在PN 結中,P 區(qū)的電勢比N 區(qū)高。
什么是擴散的相互作用?試舉一例說明其對半導體器件的制造有何影響及其產(chǎn)生的原因。
在PN 結形成過程中,空穴的擴散運動方向是從P 區(qū)到N 區(qū)。
明兩步擴散法的基本思想,及其每一步工藝的主要特點和目的。
試說明橫向擴散以及橫向擴散的主要影響。
漂移運動方向是從N 區(qū)到P 區(qū)。
自由電子是載流子,空穴不是。
薄層電阻