在PN 結(jié)形成過程中，空穴的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)方向是從P 區(qū)到N 區(qū)。

明兩步擴(kuò)散法的基本思想，及其每一步工藝的主要特點(diǎn)和目的。

舉例說明什么是同型摻雜和反型摻雜及各自的目的。

試說明擴(kuò)散工藝中常用的擴(kuò)散摻雜方法，并說明當(dāng)前實(shí)際工藝中使用的主要方法及理由。

在PN 結(jié)中，P 區(qū)的電勢比N 區(qū)高。

在P 型半導(dǎo)體中，空穴濃度大于自由電子濃度。

PN 結(jié)的單向?qū)щ娦耘c外加電壓頻率無關(guān)。

漂移運(yùn)動(dòng)方向是從N 區(qū)到P 區(qū)。

自由電子帶負(fù)電，空穴帶正電。

自由電子是載流子，空穴不是。