單項選擇題?環(huán)境溫度升高(射極偏置電路的其他參數(shù)不變)時,下列說法中正確的是()。
A.電路的Ri隨之增大
B.BJT的基極電位隨之增大
C.BJT的rbe將隨之減小
D.電路的Ro隨之增大
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1.單項選擇題射極偏置電路的結構特點是()。
A.B入C出E經(jīng)電阻接地
B.C入B出E經(jīng)電阻接地
C.B入C出E直接接地
2.多項選擇題?當共射電路的Rc增大時(其余參數(shù)不變),以下說法中正確的有()。
A.Av的大小將增大
B.rbe將不變
C.Ri將增大
D.Ro將增大
3.多項選擇題當共射電路的Rb增大時(其余參數(shù)不變),以下說法中正確的有()。
A.Av的大小將減小
B.Ri將增大
C.Ro將增大
D.rbe將減小
4.單項選擇題?共射電路的結構特點是()。
A.B入E出C接地
B.B入C出E接地
C.C入B出E接地
5.單項選擇題?關于共射電路,下列說法中錯誤的是()。
A.rbe與BJT的靜態(tài)工作電流有關
B.共射電路的輸入電阻較大
C.共射電路的輸入電阻較小
D.共射電路的電壓增益為正值
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在單級共射極放大電路的高頻模型中,哪個電容連接了輸入回路和輸出回路?()
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