單項(xiàng)選擇題在過(guò)渡帶與原狀地層之間的低電阻率帶稱為（）。
A.侵入帶
B.過(guò)渡帶
C.低侵環(huán)帶
D.低阻環(huán)帶
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題低阻環(huán)帶是處于過(guò)渡帶與原狀地層之間的低電阻率帶，該處地層含水量明顯（）它的兩側(cè)。
A.高于
B.低于
C.等于
2.單項(xiàng)選擇題減阻侵入一般存在于（）。
A.含高礦化度水的水層及中—高水淹層
B.弱水淹層
C.干層
D.地層水礦化度不很高的含油氣層或弱水淹層
3.單項(xiàng)選擇題增阻侵入一般存在于（）。
A.含高礦化度水的水層及中—高水淹層
B.地層水礦化度不很高的油氣層
C.弱水淹層
D.干層
4.單項(xiàng)選擇題在鹽水鉆井液條件下，水層和油氣層分別表現(xiàn)為（）的顯示特點(diǎn)。
A.減阻侵入，增阻侵入
B.增阻侵入，減阻侵入
C.均為減阻侵入
D.均為增阻侵入
5.單項(xiàng)選擇題淡水鉆井液鉆井的水層一般是（），部分具有高礦化度地層水的油氣層可能為（）。
A.高侵，低侵
B.高侵，高侵
C.低侵，低侵
D.低侵，高侵
最新試題
井壁微電阻率掃描成像儀極板和井壁的間隙增大會(huì)（）儀器的垂向分辨率。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
電容法持水率計(jì)的現(xiàn)場(chǎng)刻度要求是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
簡(jiǎn)述VSP 測(cè)井影響因素。
題型：?jiǎn)柎痤}
微電阻率成像測(cè)井按井眼條件選擇扶正器，測(cè)井時(shí)極板壓力（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
超聲波成像測(cè)井的影響因素為工作頻率、（）、測(cè)量距離、目的層的表面結(jié)構(gòu)、目的層的傾角和巖石的波阻抗差異。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在相同的外加磁場(chǎng)中，不同的原子核的進(jìn)動(dòng)頻率（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
微電阻率成像測(cè)井無(wú)效（壞）電極數(shù)不應(yīng)超過(guò)（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
井壁微電阻率掃描成像儀器的電扣越小，分辨率（），井壁電阻率掃描圖像越清晰。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
當(dāng)水體漸進(jìn)時(shí)，沉積范圍逐漸擴(kuò)大，較新沉積層覆蓋了較老沉積層，并向陸地?cái)U(kuò)展，與更老的地層侵蝕面成不整合接觸，在柱狀剖面上，表現(xiàn)為下粗上細(xì)特征，這種現(xiàn)象稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
非彈性—俘獲模式主要記錄的地層信息有哪些？
題型：?jiǎn)柎痤}