A.1
B.4
C.3
D.5
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
現(xiàn)在定義了一個1位的加法器addbit（ci，a，b，co，sum），模塊的結(jié)果用表達式表示為{co，sub}=a+b+ci，其中a，b為兩個加數(shù)，ci為來自低位的進位，sum為和，co為向高位的進位，如果以此1位加法器構(gòu)建四位加法器，同時定義頂層模塊中的端口信號和中間變量的定義：
下面通過層次調(diào)用的方式進行邏輯實現(xiàn)中的表達式正確的是（）。
A.addbit U0（r1[0]，r2[0]，ci，result[0]，cl）
B.addbit （r1[0]，r2[0]，ci，result[0]，c1）
C.addbit U0（ci，r1[0]，r2[0]，cl，result[0]）
D.addbit （r1，r2，ci，result，c1）
A.過程描述方式
B.行為描述方式
C.數(shù)據(jù)流描述方式
D.尋跡描述方式
A./*...*/
B.{...}
C.begin...end
D.module...endmodule
?TTL或非門組成的邏輯電路如圖所示，當輸入為以下哪種狀態(tài)時會出現(xiàn)冒險現(xiàn)象？（）
A.A =1，B =0，D =0
B.A =0，B =1，D =1
C.A =1，B =1，D =0
D.A =0，B =1，C =1
?某次電路實驗中，一同學按如下電路圖連接電路，完成實驗。其中D0，D1端為輸入端，S0與S1為輸出端。在實驗過程中，該同學觀測到輸出端S0，S1端輸出電平分別為邏輯高電平，邏輯低電平。請問此刻電路輸入端D0，D1電平可能分別為（）。
A.高電平，高電平
B.低電平，高電平
C.高電平，低電平
D.低電平，低電平
最新試題
?verilogHDL的基本結(jié)構(gòu)中通常需要進行模塊范圍的定義，VerilogHDL的模塊范圍的定義的開始和結(jié)束方式是（）。
?已知Nexys4開發(fā)板外部時鐘信號頻率為100MHz，數(shù)字鐘用來產(chǎn)生秒信號的時鐘信號頻率為1Hz，若采用計數(shù)器對100MHz的外部時鐘分頻得到1Hz的秒信號，請問該計數(shù)器至少需要多少位？（）
可以通過新增以下哪些類型文件添加ChipScope調(diào)試IP核？（）
MOSFET做放大器，要想正常工作只需用電路提供合理的偏置使其工作在飽和區(qū)即可。???
CG放大器具有較（）的輸入電阻和較（）的輸出電阻。?
I=0.5mA，Vt=1.5V，k′n（W/L）=1mA/V2，VA足夠大。輸入輸出信號均通過電容耦合進行傳輸（注意圖中未畫出電容），要實現(xiàn)增益為15倍的放大電路，則RD=（）kΩ。?
已知某N溝道增強型MOS場效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值，那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為（）。
現(xiàn)在定義了一個1位的加法器addbit（ci，a，b，co，sum），模塊的結(jié)果用表達式表示為{co，sub}=a+b+ci，其中a，b為兩個加數(shù)，ci為來自低位的進位，sum為和，co為向高位的進位，如果以此1位加法器構(gòu)建四位加法器，同時定義頂層模塊中的端口信號和中間變量的定義：下面通過層次調(diào)用的方式進行邏輯實現(xiàn)中的表達式正確的是（）。
?5.1K±5%歐姆的五環(huán)電阻的色環(huán)序列為（）。
當VGS=0時，能夠?qū)ǖ腗OS管為（）