下列電力半導(dǎo)體器件電路符號中表示IGBT器件的電路符號是()
A.A
B.B
C.C
D.D
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A. GTR
B. MOSFET
C. IGBT
D. GTO
A.GTR
B.MOSFET
C.IGBT
D.GTO
A.IGBT
B.GTR
C.MOSFET
D.GTO
最新試題
下面哪個(gè)集成元件為四位二進(jìn)制超前進(jìn)位全加器()
對理想運(yùn)放,當(dāng)運(yùn)放工作在線性區(qū)時(shí),其輸出電壓與兩個(gè)輸入端的電壓差呈非線性關(guān)系。
使用中若IC大于ICM,即使晶體管不損壞,β也會下降。
二進(jìn)制計(jì)數(shù)器具有分頻的作用,分頻的規(guī)律表現(xiàn)為:3位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)()分頻。
uo與ui大小相等,相位相反,此時(shí)的電路稱為反相器,或倒相器。
3位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的,計(jì)數(shù)長度為()
集成運(yùn)放應(yīng)用范圍現(xiàn)已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了數(shù)學(xué)運(yùn)算,涉及到了()測量和自動控制等方面
二進(jìn)制計(jì)數(shù)器具有分頻的作用,分頻的規(guī)律表現(xiàn)為:5位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)()分頻。
放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置不妥當(dāng),會產(chǎn)生飽和失真或截止失真。
9個(gè)JK觸發(fā)器,通過電路設(shè)計(jì),可以接成()進(jìn)制以內(nèi)的,任意進(jìn)制的計(jì)數(shù)器。