A.測(cè)井刻度
B.測(cè)井時(shí)間
C.測(cè)井速度
D.測(cè)井深度
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.0.2
B.0.3
C.0.4
D.0.5
A.0.3≤BI≤0.8
B.0.5≤BI≤0.8
C.0.4≤BI≤0.8
D.0.4≤BI≤0.7
A.0.7
B.0.8
C.0.9
D.1.0
A.BI=目的層段的衰減/膠結(jié)良好井段的衰減
B.BI=目的層段的衰減/膠結(jié)中等井段的衰減
C.BI=膠結(jié)良好井段的衰減/目的層段的衰減
D.BI=膠結(jié)中等井段的衰減/目的層段的衰減
A.未膠結(jié)
B.中等膠結(jié)
C.膠結(jié)良好
D.膠結(jié)
最新試題
微電阻率成像測(cè)井按井眼條件選擇扶正器,測(cè)井時(shí)極板壓力()。
微電阻率成像三井徑曲線變化正常,除橢圓井眼外,在井眼規(guī)則處應(yīng)()。
平移斷層斷層面一般較陡,可以是平直的,也可以是彎曲的。平移斷層在剖面上()。
井壁微電阻率掃描成像儀器的電扣越小,分辨率(),井壁電阻率掃描圖像越清晰。
核磁共振弛豫包括()。
多極子陣列聲波測(cè)井的重復(fù)測(cè)井與主測(cè)井的波列特征應(yīng)相似,縱波時(shí)差重復(fù)曲線與主測(cè)井曲線形狀相同,重復(fù)測(cè)量值相對(duì)重復(fù)誤差應(yīng)小于()。
簡(jiǎn)述VSP 測(cè)井影響因素。
超聲波成像測(cè)井的影響因素為工作頻率、()、測(cè)量距離、目的層的表面結(jié)構(gòu)、目的層的傾角和巖石的波阻抗差異。
()古潛山是指一定地質(zhì)時(shí)期由褶皺作用形成的古山頭,潛山本身就是一個(gè)背斜。
電容法持水率計(jì)的現(xiàn)場(chǎng)刻度要求是什么?