單項選擇題IGBT是一個復(fù)合型的器件，它是（）。

A.GTR驅(qū)動的MOSFET
B.MOSFET驅(qū)動的GTR
C.MOSFET驅(qū)動的晶閘管
D.MOSFET驅(qū)動的GTO


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1.單項選擇題已經(jīng)導(dǎo)通的晶閘管的可被關(guān)斷的條件是流過晶閘管的電流（）。

A.減小至維持電流以下
B.減小至擎住電流以下
C.減小至門極觸發(fā)電流以下
D.減小至5A以下

2.單項選擇題為限制功率晶體管的飽和深度，減少存儲時間，桓流驅(qū)動電路經(jīng)常采用（）。

A.du/dt抑制電路
B.抗飽和電路
C.di/dt抑制電路
D.吸收電路

3.單項選擇題直流斬波電路是一種（）變換電路。

A.AC/AC
B.DC/AC
C.DC/DC
D.AC/DC

4.單項選擇題桓流驅(qū)動電路中加速電容C的作用是（）。

A.加快功率晶體管的開通
B.延緩功率晶體管的關(guān)斷
C.加深功率晶體管的飽和深度
D.保護器件

5.單項選擇題電阻性負載三相半波可控整流電路中，控制角的范圍是（）。

A.30°～150
B.0°～120°
C.15°～125°
D.0°～150°

6.單項選擇題

對于單相交交變頻電路如下圖，在t1~t2時間段內(nèi)，P組晶閘管變流裝置與N組晶閘管變流裝置的工作狀態(tài)是（）。

A.P組阻斷，N組整流
B.P組阻斷，N組逆變
C.N組阻斷，P組整流
D.N組阻斷，P組逆變

8.單項選擇題對于單相交流調(diào)壓電路，下面說法錯誤的是（）。

A.晶閘管的觸發(fā)角大于電路的功率因素角時，晶閘管的導(dǎo)通角小于180度
B.晶閘管的觸發(fā)角小于電路的功率因素角時，必須加寬脈沖或脈沖列觸發(fā)，電路才能正常工作
C.晶閘管的觸發(fā)角小于電路的功率因素角正常工作并達到穩(wěn)態(tài)時，晶閘管的導(dǎo)通角為180度
D.晶閘管的觸發(fā)角等于電路的功率因素角時，晶閘管的導(dǎo)通角不為180度

9.單項選擇題

單相橋式PWM逆變電路如下圖，單極性調(diào)制工作時，在電壓的正半周是（）。

A.V1與V4導(dǎo)通，V2與V3關(guān)斷
B.V1常通，V2常斷，V3與V4交替通斷
C.V1與V4關(guān)斷，V2與V3導(dǎo)通
D.V1常斷，V2常通，V3與V4交替通斷

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