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A.GTR驅(qū)動(dòng)的MOSFET
B.MOSFET驅(qū)動(dòng)的GTR
C.MOSFET驅(qū)動(dòng)的晶閘管
D.MOSFET驅(qū)動(dòng)的GTO
A.減小至維持電流以下
B.減小至擎住電流以下
C.減小至門極觸發(fā)電流以下
D.減小至5A以下
A.du/dt抑制電路
B.抗飽和電路
C.di/dt抑制電路
D.吸收電路
A.AC/AC
B.DC/AC
C.DC/DC
D.AC/DC
A.加快功率晶體管的開通
B.延緩功率晶體管的關(guān)斷
C.加深功率晶體管的飽和深度
D.保護(hù)器件
A.30°~150
B.0°~120°
C.15°~125°
D.0°~150°
對于單相交交變頻電路如下圖,在t1~t2時(shí)間段內(nèi),P組晶閘管變流裝置與N組晶閘管變流裝置的工作狀態(tài)是()。
A.P組阻斷,N組整流
B.P組阻斷,N組逆變
C.N組阻斷,P組整流
D.N組阻斷,P組逆變
在三相三線交流調(diào)壓電路中,輸出電壓的波形如下圖所示,在t1~t2時(shí)間段內(nèi),有()晶閘管導(dǎo)通。
A.1個(gè)
B.2個(gè)
C.3個(gè)
D.4個(gè)
A.晶閘管的觸發(fā)角大于電路的功率因素角時(shí),晶閘管的導(dǎo)通角小于180度
B.晶閘管的觸發(fā)角小于電路的功率因素角時(shí),必須加寬脈沖或脈沖列觸發(fā),電路才能正常工作
C.晶閘管的觸發(fā)角小于電路的功率因素角正常工作并達(dá)到穩(wěn)態(tài)時(shí),晶閘管的導(dǎo)通角為180度
D.晶閘管的觸發(fā)角等于電路的功率因素角時(shí),晶閘管的導(dǎo)通角不為180度
單相橋式PWM逆變電路如下圖,單極性調(diào)制工作時(shí),在電壓的正半周是()。
A.V1與V4導(dǎo)通,V2與V3關(guān)斷
B.V1常通,V2常斷,V3與V4交替通斷
C.V1與V4關(guān)斷,V2與V3導(dǎo)通
D.V1常斷,V2常通,V3與V4交替通斷
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