問答題簡述x射線結構分析的基本原理和常用方法?
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對顆粒涂布型磁存儲材料,假定單疇退磁場能Ed與多疇結構的疇壁能Ew分別可以表示為1)存在一個臨界半徑R0,當顆粒半徑R>R0時,顆粒為多疇結構;當R0時,顆粒為單疇結構。2)下圖中M-D、S-D以及S-P三個不同顆粒直徑范圍內矯頑力MHc與顆粒直徑d的關系
題型:問答題
本征吸收一定在本征半導體中才會發(fā)生。
題型:判斷題
功能陶瓷在形成固溶結構時,在結構不變的情況下,半徑相當的離子最容易置換固溶。
題型:判斷題
壓電材料與鐵電材料的關系是()
題型:單項選擇題
電光效應就是光電效應的另一個說法。
題型:判斷題
雜質吸收與激子吸收相同,都導致電子在能帶與能帶之間躍遷。
題型:判斷題
()是半導體光電子材料中發(fā)生的一種外光電效應。
題型:單項選擇題
信息存儲材料大體上可以分為()、()和()三種。
題型:填空題
電介質材料()
題型:單項選擇題
光盤由()、()和()組成。
題型:填空題