電介質(zhì)材料（）

半導(dǎo)體對光的吸收以及與之有關(guān)的光電離過程只能直接改變電子和空穴的數(shù)量與能量，為了出現(xiàn)光電勢，還必須具備一定的附加條件，以使光生電子和空穴能夠在空間分開。在不均勻半導(dǎo)體中，必須（），在均勻半導(dǎo)體中，必須具備另外一些附加條件，比如（）或（）。

半導(dǎo)體光電子材料中發(fā)生的光電效應(yīng)主要有（）、（）和（）三種。前兩種是內(nèi)光電效應(yīng)，第三種是外光電效應(yīng)。

激子吸收

對顆粒涂布型磁存儲材料，假定單疇退磁場能Ed與多疇結(jié)構(gòu)的疇壁能Ew分別可以表示為1）存在一個(gè)臨界半徑R0，當(dāng)顆粒半徑R>R0時(shí)，顆粒為多疇結(jié)構(gòu)；當(dāng)R0時(shí)，顆粒為單疇結(jié)構(gòu)。2）下圖中M-D、S-D以及S-P三個(gè)不同顆粒直徑范圍內(nèi)矯頑力MHc與顆粒直徑d的關(guān)系

電極化

常見的非線性光學(xué)現(xiàn)象包括（）、（）和（）。

全息存儲只存儲物光的強(qiáng)度分布，不記錄物光的相位分布。

陶瓷材料中化學(xué)鍵主要是（）

光折變效應(yīng)的大小只與入射光的能量有關(guān)，而與光強(qiáng)無關(guān)。