對(duì)顆粒涂布型磁存儲(chǔ)材料，假定單疇退磁場(chǎng)能Ed與多疇結(jié)構(gòu)的疇壁能Ew分別可以表示為1）存在一個(gè)臨界半徑R0，當(dāng)顆粒半徑R>R0時(shí)，顆粒為多疇結(jié)構(gòu)；當(dāng)R0時(shí)，顆粒為單疇結(jié)構(gòu)。2）下圖中M-D、S-D以及S-P三個(gè)不同顆粒直徑范圍內(nèi)矯頑力MHc與顆粒直徑d的關(guān)系

光盤是用（）寫(xiě)入信息、讀出信息的存儲(chǔ)器件。

鐵電性

本征吸收一定在本征半導(dǎo)體中才會(huì)發(fā)生。

（）可以用于畸變像復(fù)原。

介質(zhì)電極化的機(jī)制包括（）、（）、（）、（）、（）等。

非線性光學(xué)晶體按物理效應(yīng)可分（）、（）和（）。

異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池通常（）。

常見(jiàn)的非線性光學(xué)現(xiàn)象包括（）、（）和（）。

激光器主要由（）、（）和（）組成。