單項選擇題關(guān)于PN結(jié)半導體探測器，下列說法正確的是（）。
A.結(jié)區(qū)的電場為均勻電場
B.耗盡區(qū)的寬度與摻雜濃度無關(guān)
C.結(jié)區(qū)電容與外加電壓無關(guān)
D.外加電壓增大，耗盡層的寬度增加
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1.單項選擇題關(guān)于半導體作為探測器介質(zhì)的物理性能，下列說法錯誤的是（）。
A.平均電離能比閃爍體探測器低
B.載流子數(shù)目服從泊松分布
C.電子遷移率與空穴遷移率相近
D.摻雜會大大降低半導體的電阻率
2.單項選擇題下列哪兩種性質(zhì)是組成半導體探測器的關(guān)鍵？（）
A.高的電阻率，短的載流子壽命
B.高的電阻率，長的載流子壽命
C.低的電阻率，長的載流子壽命
D.低的電阻率，短的載流子壽命
3.單項選擇題摻雜下列哪種元素的雜質(zhì)半導體是屬于間隙型的？（）
A.Li
B.B
C.P
D.Al
4.單項選擇題與氣體探測器相比，下列哪一項不是半導體探測器的優(yōu)點？（）
A.能量分辨率好
B.對γ射線的探測效率高
C.結(jié)構(gòu)緊湊
D.不易受射線損傷
5.單項選擇題下列哪項不是閃爍探測器必備的構(gòu)成部分？（）
A.光電倍增器件
B.組分恒定的氣體環(huán)境
C.閃爍體
D.前置放大器
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