A.吸收部分產(chǎn)生的中子
B.產(chǎn)生α粒子
C.與γ射線反應(yīng)產(chǎn)生中子
D.與α射線反應(yīng)產(chǎn)生中子
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A.(β,n)型中子源
B.(α,n)型中子源
C.(γ,n)型中子源
D.自發(fā)裂變中子源
A.熱中子
B.冷中子
C.甚冷中子
D.超冷中子
A.軔致輻射計(jì)數(shù)集中在低能區(qū)
B.軔致輻射的來(lái)源其實(shí)是β射線
C.軔致輻射可以被理想屏蔽所去除
D.當(dāng)β射線強(qiáng)度大,能量高,而γ射線強(qiáng)度低時(shí),軔致輻射影響更顯著
A.超出了最大能量,是系統(tǒng)弄錯(cuò)了,應(yīng)該把這些計(jì)數(shù)去掉
B.可能同時(shí)發(fā)生了兩個(gè)能量完全沉積的事件,系統(tǒng)把這兩個(gè)10keV的計(jì)數(shù)合成為了一個(gè)20keV的計(jì)數(shù)
C.這個(gè)峰大部分計(jì)數(shù)的來(lái)源應(yīng)該是環(huán)境的射線影響
D.降低γ射線強(qiáng)度,這個(gè)峰的計(jì)數(shù)應(yīng)該會(huì)升高
A.反符合技術(shù)可以用于甄別康普頓事件
B.反散射峰與特征X射線峰來(lái)自于環(huán)境
C.全能峰就是光電峰
D.單逃逸峰的能量大于雙逃逸峰
最新試題
關(guān)于延遲符合,下列描述錯(cuò)誤的是()。
下列對(duì)真偶符合比的描述正確的是()。
小立體角法是測(cè)量α源活度的手段之一,關(guān)于此方法的描述錯(cuò)誤的是()。
下列對(duì)中子慢化的描述正確的是()。
下列對(duì)于常用的中子探測(cè)器的描述不正確的是()。
下列哪項(xiàng)不屬于中子探測(cè)方法?()
下列對(duì)中子與原子核的反應(yīng)截面的描述不正確的是()。
軔致輻射對(duì)γ能譜的影響,描述錯(cuò)誤的是()。
下列關(guān)于反應(yīng)堆中子源的描述錯(cuò)誤的是()。
對(duì)于(D,D)反應(yīng)和(D,T)反應(yīng),下列描述正確的是()。