單項選擇題燒結(jié)陶瓷法制備無極固體材料時,以下利于反應(yīng)措施有()

A.共沉淀法制備目標(biāo)物質(zhì)
B.采用能夠放出氣體的原料
C.反應(yīng)溫度設(shè)定在某起始物質(zhì)熔點
D.以上三種都是


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1.單項選擇題關(guān)于超導(dǎo)陶瓷材料的表述正確的是()

A.臨界溫度Tc越低越好
B.臨界磁場Hc越小越好
C.臨界電流Ic越小越好
D.臨界溫度Tc、臨界磁場Hc、臨界電流Ic都是越大越好

2.單項選擇題下列雜質(zhì)對AgCl導(dǎo)電率提升的是()

A.AgBr
B.ZnCl2
C.KCl
D.NaBr

3.單項選擇題關(guān)于助熔劑法制備無機材料的說法正確的是()

A.助熔劑比目標(biāo)物質(zhì)的熔點低
B.助熔劑比目標(biāo)物質(zhì)的熔點高
C.助熔劑只能是一種
D.助熔劑法多余,不如直接將目標(biāo)物質(zhì)熔融再結(jié)晶

4.單項選擇題以下哪種方法可代替共沉淀法制備前驅(qū)體?()

A.溶膠-凝膠法
B.水熱法
C.固相合成法
D.電化學(xué)沉積法