單項(xiàng)選擇題PN半導(dǎo)體加逆向偏壓時會有些許電流產(chǎn)生,乃是因?yàn)椋ǎ┧?
A.正離子
B.負(fù)離子
C.少數(shù)載子
D.多數(shù)載子
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1.單項(xiàng)選擇題當(dāng)逆向偏壓從10V減少到5V時,二極管接面的空乏區(qū)將()
A.變小
B.變大
C.不受影響
D.崩潰
2.單項(xiàng)選擇題三價雜質(zhì)加到硅形成()
A.鍺
B.P型半導(dǎo)體
C.N型半導(dǎo)體
D.空乏區(qū)
3.單項(xiàng)選擇題當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體接觸時,即會產(chǎn)生一空乏層,而P型半導(dǎo)體之空乏層內(nèi)應(yīng)有()
A.電洞
B.電子
C.正離子
D.負(fù)離子
4.單項(xiàng)選擇題二極管并聯(lián)可增加()
A.最大電流
B.最大逆向電壓
C.交換時間
D.以上皆正確
5.單項(xiàng)選擇題P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體結(jié)合時,會在PN接合面上形成空乏區(qū),則空乏區(qū)靠N型側(cè)內(nèi)有下列何者?()
A.電子
B.電洞
C.正離子
D.負(fù)離子
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正弦波振蕩器主要將哪種電源轉(zhuǎn)換為特定頻率和振幅的正弦交變電壓(電流)?()
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