單項(xiàng)選擇題N型半導(dǎo)體于鍺或硅中加入之雜質(zhì)為（）
A.三價(jià)
B.四價(jià)
C.五價(jià)
D.以上各價(jià)均可能
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1.單項(xiàng)選擇題二極管的動(dòng)態(tài)電阻rd為（）
A.nVT/Is
B.VD/ID
C.VT/1mA
D.nVT/ID
2.單項(xiàng)選擇題
如圖所示，實(shí)驗(yàn)電路伏特計(jì)所測(cè)量電壓為3V，則R值應(yīng)接近多少？（）（注：伏特計(jì)內(nèi)阻為20kΩ；D為硅二極管）
A.1Ω
B.2Ω
C.8Ω
D.4Ω
E.6Ω
3.單項(xiàng)選擇題下列何種二極管的空乏區(qū)最窄？（）
A.發(fā)光二極管
B.透納二極管
C.變?nèi)荻O管
D.稽納二極管
4.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體PN接合面出現(xiàn)空乏區(qū)（depletion layer），利用空乏區(qū)可做成（）
A.壓控電容
B.壓控電阻
C.壓控電感
D.以上皆非
5.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體PN接合面出現(xiàn)空乏區(qū)（depletion layer），在何種情況下更明顯（）
A.斷路時(shí)
B.短路時(shí)
C.順向偏壓時(shí)
D.逆向偏壓時(shí)
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