單項(xiàng)選擇題軔致輻射對(duì)γ能譜的影響，描述錯(cuò)誤的是（）。

A.軔致輻射計(jì)數(shù)集中在低能區(qū)
B.軔致輻射的來(lái)源其實(shí)是β射線
C.軔致輻射可以被理想屏蔽所去除
D.當(dāng)β射線強(qiáng)度大，能量高，而γ射線強(qiáng)度低時(shí)，軔致輻射影響更顯著


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1.單項(xiàng)選擇題測(cè)量能量10keV的γ射線，觀察到了在20keV處有一個(gè)明顯的峰，對(duì)于這些計(jì)數(shù)的分析正確的是（）。

A.超出了最大能量，是系統(tǒng)弄錯(cuò)了，應(yīng)該把這些計(jì)數(shù)去掉
B.可能同時(shí)發(fā)生了兩個(gè)能量完全沉積的事件，系統(tǒng)把這兩個(gè)10keV的計(jì)數(shù)合成為了一個(gè)20keV的計(jì)數(shù)
C.這個(gè)峰大部分計(jì)數(shù)的來(lái)源應(yīng)該是環(huán)境的射線影響
D.降低γ射線強(qiáng)度，這個(gè)峰的計(jì)數(shù)應(yīng)該會(huì)升高

2.單項(xiàng)選擇題下列對(duì)γ能譜的描述，錯(cuò)誤的是（）。

A.反符合技術(shù)可以用于甄別康普頓事件
B.反散射峰與特征X射線峰來(lái)自于環(huán)境
C.全能峰就是光電峰
D.單逃逸峰的能量大于雙逃逸峰

3.單項(xiàng)選擇題下列對(duì)真偶符合比的描述正確的是（）。

A.符合測(cè)量對(duì)真偶符合比沒(méi)有要求
B.為保證高的真偶符合比，電子學(xué)分辨時(shí)間小一些好
C.真偶符合比必定是大于1的
D.其他條件不變，源的活度越大則真偶符合比越大

4.單項(xiàng)選擇題對(duì)偶然符合描述正確的是（）。

A.偶然符合在低計(jì)數(shù)率情況下更常見(jiàn)
B.偶然符合的事件同時(shí)發(fā)生且相關(guān)
C.偶然的情況下同時(shí)到達(dá)符合電路的非關(guān)聯(lián)事件引起的符合
D.不相關(guān)的事件都可以認(rèn)為屬于偶然符合

5.單項(xiàng)選擇題下列關(guān)于符合曲線描述錯(cuò)誤的是（）。

A.符合曲線是指延遲關(guān)系變化時(shí)，符合計(jì)數(shù)率的變化曲線
B.信號(hào)的時(shí)間離散對(duì)符合曲線有影響
C.理想的電子學(xué)瞬時(shí)符合曲線是矩形的
D.符合分快符合與慢符合，快符合的符合曲線寬度主要由電子學(xué)分辨時(shí)間決定