單項(xiàng)選擇題同位素中子源不包括哪一種？（）

A.（β，n）型中子源
B.（α，n）型中子源
C.（γ，n）型中子源
D.自發(fā)裂變中子源


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1.單項(xiàng)選擇題下列哪種中子的波長最短？（）

A.熱中子
B.冷中子
C.甚冷中子
D.超冷中子

2.單項(xiàng)選擇題軔致輻射對γ能譜的影響，描述錯誤的是（）。

A.軔致輻射計數(shù)集中在低能區(qū)
B.軔致輻射的來源其實(shí)是β射線
C.軔致輻射可以被理想屏蔽所去除
D.當(dāng)β射線強(qiáng)度大，能量高，而γ射線強(qiáng)度低時，軔致輻射影響更顯著

3.單項(xiàng)選擇題測量能量10keV的γ射線，觀察到了在20keV處有一個明顯的峰，對于這些計數(shù)的分析正確的是（）。

A.超出了最大能量，是系統(tǒng)弄錯了，應(yīng)該把這些計數(shù)去掉
B.可能同時發(fā)生了兩個能量完全沉積的事件，系統(tǒng)把這兩個10keV的計數(shù)合成為了一個20keV的計數(shù)
C.這個峰大部分計數(shù)的來源應(yīng)該是環(huán)境的射線影響
D.降低γ射線強(qiáng)度，這個峰的計數(shù)應(yīng)該會升高

4.單項(xiàng)選擇題下列對γ能譜的描述，錯誤的是（）。

A.反符合技術(shù)可以用于甄別康普頓事件
B.反散射峰與特征X射線峰來自于環(huán)境
C.全能峰就是光電峰
D.單逃逸峰的能量大于雙逃逸峰

5.單項(xiàng)選擇題下列對真偶符合比的描述正確的是（）。

A.符合測量對真偶符合比沒有要求
B.為保證高的真偶符合比，電子學(xué)分辨時間小一些好
C.真偶符合比必定是大于1的
D.其他條件不變，源的活度越大則真偶符合比越大