單項(xiàng)選擇題采用5MHz，φ5mm晶片尺寸的TOFD探頭檢測(cè)壁厚t=40mm的工件，以下哪種角度的楔塊可提供更佳的深度分辨率（）

A.70°
B.60°
C.50°
D.40°


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1.單項(xiàng)選擇題以下有關(guān)TOFD檢測(cè)分辨率的說(shuō)法，哪一條是正確的（）

A.隨著深度的增加而提高
B.隨著探頭頻率的提高而提高
C.隨著超聲脈沖寬度的減小而提高
D.以上都對(duì)

2.單項(xiàng)選擇題以下對(duì)彎曲型底面開(kāi)口裂紋測(cè)長(zhǎng)的敘述，正確的是（）

A.由于缺陷輪廓與底面不平行，很難得到好的擬合結(jié)果
B.由于缺陷末端的信號(hào)有時(shí)看不到，使擬合難以進(jìn)行
C.當(dāng)拋物線指針與缺陷信號(hào)不能全部擬合時(shí)，應(yīng)優(yōu)先與信號(hào)頂部擬合
D.當(dāng)拋物線指針與缺陷信號(hào)不能全部擬合時(shí)，應(yīng)優(yōu)先與缺陷的三分之一信號(hào)末端擬合

3.單項(xiàng)選擇題TOFD技術(shù)測(cè)量埋藏缺陷長(zhǎng)度的精度（）

A.隨著缺陷埋藏深度的增加而降低
B.隨著探頭中心間距增大而降低
C.隨著脈沖寬度的增大而降低
D.以上都對(duì)

4.單項(xiàng)選擇題TOFD對(duì)埋藏缺陷的分辨力（）

A.隨著深度的增加而提高
B.隨著探頭中心間距減小而提高
C.隨著脈沖寬度的減小而提高
D.以上都對(duì)

5.單項(xiàng)選擇題以下關(guān)于耦合劑厚度變化對(duì)缺陷深度測(cè)量誤差影響的敘述，正確的是（）

A.為減小測(cè)量缺陷信號(hào)與測(cè)量誤差，必須仔細(xì)測(cè)量出所使用的耦合劑厚度
B.如果測(cè)量缺陷信號(hào)與直通波到達(dá)時(shí)間之差，則耦合劑引起的缺陷深度測(cè)量誤差很小
C.如果測(cè)量缺陷信號(hào)到達(dá)的絕對(duì)時(shí)間，則耦合劑引起的測(cè)量誤差很小
D.以上敘述都是錯(cuò)誤的