問答題

(a)在MgO晶體中,肖特基缺陷的生成能為6eV,計算在25℃和1600℃時熱缺陷的濃度。 
(b)如果MgO晶體中,含有百萬分之一mol的Al2O3雜質(zhì),則在1600℃時,MgO晶體中是熱缺陷占優(yōu)勢還是雜質(zhì)缺陷占優(yōu)勢?說明原因。


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