A.小于1
B.等于1
C.大于1
D.小于2
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A.譜線簡單
B.干擾少
C.選擇性好
D.檢出限高
A.鉛
B.砷
C.汞
D.硒
A.塞曼效應(yīng)扣背景技術(shù)
B.自吸扣背景技術(shù)
C.氘氣扣背景技術(shù)
D.氦氣扣背景技術(shù)
A.校正曲線法
B.標(biāo)準(zhǔn)比較法
C.標(biāo)準(zhǔn)加入法和內(nèi)標(biāo)法
D.外標(biāo)法
A.金屬鹽類分子吸收
B.無機酸分子吸收
C.火焰氣體吸收
D.有機酸分子吸收
最新試題
石墨管式原子化器的檢測限比火焰原子化器高,注入的試樣幾乎可全部原子化,基態(tài)原子在光路中停留的時間短。
在AAS測試中,火焰原子化時,通常通過調(diào)節(jié)燃燒器高度來控制光束通過火焰的電離、化合區(qū)域。
質(zhì)譜儀中真空系統(tǒng)的作用是使離子在真空狀態(tài)下從離子源到達檢測器。
在AAS測試中,火焰原子化時,通常調(diào)節(jié)霧化器可以改變和控制進樣速度。
AAS的火焰原子化器具有穩(wěn)定性高、使用方便等優(yōu)點。但火焰原子化器的霧化效率較低,原子化效率也低;且基態(tài)原子蒸氣在火焰吸收區(qū)停留時間短,原子蒸氣在火焰中被大量氣體稀釋,使得其靈敏度不高。
在AAS測試中,石墨爐原子化時,凈化溫度應(yīng)高于原子化溫度,凈化的時間為3~5s,目的是去除試樣殘留物,消除記憶效應(yīng)。
場致變寬是指在外加場或者帶電粒子形成的場作用下,電子能級進一步發(fā)生分裂而導(dǎo)致的變寬效應(yīng),在原子吸收分析中,場變寬不是主要變寬。
軟電離離子化能量高,分子離子的碎片信息豐富,提供的分子官能團等結(jié)構(gòu)信息。
在AAS測試中的化學(xué)干擾可通過化學(xué)分離,使用高溫火焰,加入釋放劑和保護劑,加入緩沖劑或基體改進劑等方法來克服。
離子選擇性電極的校準(zhǔn)曲線的直線部分所對應(yīng)的離子活度范圍稱為離子選擇性電極的線性范圍。