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問答題某MOSFET的I_DSS=10mA且U_P=－8V。（1）此元件是P溝道還是N溝道？（2）計(jì)算U_GS=－3V是的I_D；（3）計(jì)算U_GS=3V時(shí)的I_D。

1.問答題 圖所示為場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線，分別判斷各場(chǎng)效應(yīng)管屬于何種類型（結(jié)型、絕緣柵型、增強(qiáng)型、耗盡型、N溝道或P溝道），說明它的夾斷電壓U_p（或開啟電壓U_th）為多少。

A.JFET，P溝道U_p=3V；
B.耗盡型，N溝道FETU_p=－1.0V

2.問答題 圖所示為場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性，請(qǐng)分別說明場(chǎng)效應(yīng)管各屬于何種類型。說明它的開啟電壓U_th（或夾斷電壓U_p）約是多少。

A.N溝道耗盡型FETU_P=－3V；
B.P溝道增強(qiáng)型FETU_T=－4V；
C.P溝道耗盡型FETU_P=2V。

3.問答題設(shè)三極管的參數(shù)為U_BE=0.7V，U_T=26mV，V_CC=9V，設(shè)計(jì)一個(gè)微電流源電路，使I_R=50μA，I_o=15μA。

4.問答題設(shè)三極管的參數(shù)為U_BE=0.7V，β=100，V_CC=9V，設(shè)計(jì)一個(gè)輸出電流I_o=1.5mA的鏡像電流源。

5.問答題 在圖所示電路中，已知所有晶體管特性均相同，U_BE均為0.7V，求R_e2和R_e3的阻值。