制造硅半導(dǎo)體器體中，常使硼擴散到硅單晶中，若在1600K溫度下，保持硼在硅單晶表面的濃度恒定（恒定源半無限擴散），要求距表面10-3cm深度處硼的濃度是表面濃度的一半，問需要多長時間（已知D1600℃＝8×10-12cm2/s；當）？
已知氫和鎳在面心立方鐵中的擴散數(shù)據(jù)為cm2/s和cm2/s試計算1000℃的擴散系數(shù)，并對其差別進行解釋
原因：與鎳原子相比氫原子小得多，更容易在面心立方的鐵中通過空隙擴散
欲使Ca2+在CaO中的擴散直至CaO的熔點（2600℃）時都是非本質(zhì)擴散，要求三價離子有什么樣的濃度？試對你在計算中所做的各種特性值的估計作充分說明。已知CaO肖特基缺陷形成能為6eV
最新試題
除取向有序外，還有分子質(zhì)心組成的層狀結(jié)構(gòu)，分子呈二維有序排列的是向列型液晶。
按照使用特點可將塑料分為（）
按照熱行為可以將高分子材料分為哪幾類？（）
納米粒子的效應(yīng)有（）
根據(jù)功能可把信息材料分為（）
按性能分可將復(fù)合材料分為（）
生物醫(yī)用材料按性質(zhì)分類可分為（）
液晶基元包括（）
固溶體的特點有（）
以下屬于干法成型的方法有（）
）？
cm2/s和
cm2/s試計算1000℃的擴散系數(shù)，并對其差別進行解釋
