A.1Wb/m2=1Gauss
B.1Tesla=103Gauss
C.1Wb/m2=104Tesla
D.1Tesla=104Gauss
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A.0.52H
B.0.54H
C.0.48H
D.0.46H
A.產(chǎn)生同方向之磁場(chǎng)以阻止磁通減少
B.產(chǎn)生同方向之磁碭以反抗磁通之增加
C.產(chǎn)生反方向之磁場(chǎng)以阻止磁通之減少
D.產(chǎn)生反方向之磁場(chǎng)以反抗磁通之增加
如圖
所示電路，求a、b兩端的總電感Lab=（）
A.3H
B.4H
C.5H
D.6H
A.2
B.4
C.6
D.8
如圖
所示，鐵心的BC=0.5Wb/m2，假設(shè)鐵心與氣隙之截面積相同，求在氣隙中之磁場(chǎng)強(qiáng)度為何（）
A.1.78×105AT/m
B.3.98×105AT/m
C.5.64×105AT/m
D.7.13×105AT/m
最新試題
電壓源電壓為零，電流源電流為零，分別稱為（）。
一階動(dòng)態(tài)電路中，下列關(guān)于換路定則表述最合理的一項(xiàng)是（）。
關(guān)于直流電流，下列描述正確的一項(xiàng)是（）。
?電路如圖所示，已知R為一個(gè)0.5k~100kΩ的可調(diào)電位器，要求Avd在1~100.5V/V范圍內(nèi)變化，假設(shè)第2級(jí)增益為0.5V/V，則（）。
流過電容的電流與（）成正比。
為了提高感性負(fù)載正弦穩(wěn)態(tài)交流電路中總電路的功率因數(shù)，可以采取的措施為（）。
電路如圖所示，運(yùn)算放大器的飽和電壓為±12V，雙向穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓為±6V，設(shè)正向壓降為零，當(dāng)輸入電壓Vi=2sinωtV時(shí)，輸出電壓VO應(yīng)為（）。
?以下參數(shù)為運(yùn)放直流參數(shù)的是（）。
關(guān)于基爾霍夫電流定律（KCL），下列描述錯(cuò)誤的一項(xiàng)是（）。
關(guān)于電壓源和電流源，下列描述錯(cuò)誤的一項(xiàng)是（）。