問答題試畫出CMOS雙阱工藝中器件結(jié)構(gòu)的剖面圖并在其上標(biāo)注出主要材料層的名稱。
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下列半導(dǎo)體材料熱敏特性突出的是()
題型:單項(xiàng)選擇題
試說明擴(kuò)散工藝中常用的擴(kuò)散摻雜方法,并說明當(dāng)前實(shí)際工藝中使用的主要方法及理由。
題型:問答題
因電場(chǎng)作用所產(chǎn)生的運(yùn)動(dòng)稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。
題型:判斷題
理想二極管模型在直流電路分析中誤差很大,因此不能使用。
題型:判斷題
本征半導(dǎo)體導(dǎo)電性能很差。
題型:判斷題
漂移運(yùn)動(dòng)方向是從N 區(qū)到P 區(qū)。
題型:判斷題
PN 結(jié)的單向?qū)щ娦耘c外加電壓頻率無關(guān)。
題型:判斷題
二極管只能通過直流電,不能通過交流電。
題型:判斷題
半導(dǎo)體獲得廣泛應(yīng)用的原因是()
題型:單項(xiàng)選擇題
普通二極管是由PN 結(jié)引出電極封裝而成的。
題型:判斷題