問答題試說明擴(kuò)散工藝中常用的擴(kuò)散摻雜方法，并說明當(dāng)前實際工藝中使用的主要方法及理由。
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最新試題
列出并解釋替位雜質(zhì)在硅中的三種主要擴(kuò)散機(jī)制。
題型：問答題
根據(jù)空位機(jī)制下的總擴(kuò)散系數(shù)公式，給出本征硅，低濃度摻雜，N型重?fù)诫s及P型重?fù)诫s下的擴(kuò)散系數(shù)公式。
題型：問答題
若在直流電路中硅二極管導(dǎo)通，則其導(dǎo)通電壓均可認(rèn)為0.7V。
題型：判斷題
自由電子是載流子，空穴不是。
題型：判斷題
試說明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴(kuò)散特性。
題型：問答題
純凈的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。
題型：判斷題
在PN 結(jié)中，P 區(qū)的電勢比N 區(qū)高。
題型：判斷題
關(guān)于PN 結(jié)的導(dǎo)電，下列敘述不正確的是：（）
題型：單項選擇題
在P 型半導(dǎo)體中，空穴濃度大于自由電子濃度。
題型：判斷題
本征半導(dǎo)體導(dǎo)電性能很差。
題型：判斷題