單片機(jī)技術(shù)章節(jié)練習(xí)(2020.06.02)

來(lái)源：考試資料網(wǎng)

1.判斷題電平方式的中斷請(qǐng)求是高電平有效。

參考答案：錯(cuò)

進(jìn)入題庫(kù)練習(xí)

2.填空題 假定（SP）=60H，（ACC）=30H，（B）=70H，執(zhí)行下列指令：
PUSH ACC PUSH B
后，SP的內(nèi)容為（62H），61H單元的內(nèi)容為（），62H單元的內(nèi)容為（）

參考答案：30H；70H

進(jìn)入題庫(kù)練習(xí)

3.判斷題指令MOV A，3AH屬于直接尋址方式

參考答案：對(duì)

進(jìn)入題庫(kù)練習(xí)

4 一單片機(jī)系統(tǒng)外接的振蕩源為6MHZ的晶體振蕩器，其系統(tǒng)的狀態(tài)周期為（）

點(diǎn)擊查看答案

5 MCS-51不能為片外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器提供和構(gòu)成地址的有（）。

點(diǎn)擊查看答案

6.問(wèn)答題 已知一MCS—51單片機(jī)系統(tǒng)的片內(nèi)RAM 20H單元存放了一個(gè)8位無(wú)符號(hào)數(shù)7AH，片外擴(kuò)展RAM的8000H存放了一個(gè)8位無(wú)符號(hào)數(shù)86H，試編程完成以上兩個(gè)單元中的無(wú)符號(hào)數(shù)相加，并將和值送往片外RAM的01H、00H單元中，同時(shí)將所編寫程序運(yùn)行完成后的數(shù)據(jù)和狀態(tài)添入下表中給出的PSW的有關(guān)位以及寄存器A、DPTR和RAM單元中。