太陽(yáng)能技術(shù)太陽(yáng)能光伏發(fā)電技術(shù)填空題每日一練(2019.12.24)

來(lái)源：考試資料網(wǎng)

1.填空題工業(yè)中單晶硅的制備方法主要有（）和區(qū)熔法（FZ法）

2.填空題GaAs或InP太陽(yáng)能電池由于（）且有（），作為空間太陽(yáng)能電池已被實(shí)用化。

3.填空題CIGS模板的轉(zhuǎn)換率一般為（）左右。

4.填空題CIS的禁帶寬度為（），是與太陽(yáng)能電池最適宜的禁帶寬度1.4ev偏小的值

5.填空題被大氣吸收的太陽(yáng)輻射能大約占到達(dá)地球范圍內(nèi)的太陽(yáng)總輻射能量的（）。