填空題工業(yè)中單晶硅的制備方法主要有（）和區(qū)熔法（FZ法）

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4.單項(xiàng)選擇題關(guān)于多晶硅和非晶硅電池，以下說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）

A.在擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)中，只有注入的少子存在很大的濃度梯度，因此擴(kuò)散電流主要是由少子貢獻(xiàn)。
B.非晶硅對(duì)可見(jiàn)光譜的吸收很強(qiáng)，是晶硅的500倍，整個(gè)太陽(yáng)光譜中的吸收系數(shù)也為單晶硅的40倍，因此非晶硅電池可做的很薄。
C.多晶硅和非晶硅電池都是由pn結(jié)構(gòu)成的，因此它們的基本結(jié)構(gòu)是相同的。
D.與晶體硅電池相比，非晶硅電池中存在光誘導(dǎo)退化效應(yīng)（S-W效應(yīng)），但其光電轉(zhuǎn)化效率隨溫度升高下降較慢。

5.單項(xiàng)選擇題非晶硅太陽(yáng)能電池的基本構(gòu)造是下列的哪種？（）

A.梳狀電極→減反膜→n型硅→p型硅→反電極
B.梳狀電極→TCO→p型硅→i型硅→n型硅→SS
C.梳狀電極→TCO→n型硅→p型硅→i型硅→導(dǎo)電玻璃
D.梳狀電極→TCO→p型硅→n型硅→i型硅→SS