下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

常壓的硅外延方法有（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

鳥嘴效應造成的不良影響有（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）

光刻工藝的特點包括（）。