①材料準備 ②晶體生長與晶圓準備 ③芯片制造 ④封裝
最新試題
互連工藝中AL的制備可選用()。
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種?()
金屬化中可選用的金屬材料有()。
刻蝕過程中聚合物形成的來源有()。
進行溝槽填充常用的金屬材料是()。
芯片粘接的工藝過程包括()。
摻雜后退火時間一般在()。
光刻工藝的特點包括()。
摻雜后,退火的目的是()。