多項(xiàng)選擇題下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子?()
A.Cu
B.P
C.Ag
D.Au
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1.多項(xiàng)選擇題鳥(niǎo)嘴效應(yīng)造成的不良影響有()。
A.有效柵寬變窄
B.電流減少
C.電容增加
D.電阻增大
2.多項(xiàng)選擇題消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法有()。
A.選擇合適的掩蔽膜
B.在氧化前,將窗口處的硅腐蝕掉深度,再進(jìn)行局部氧化
C.退火
D.高壓氧化工藝
3.單項(xiàng)選擇題濕氧氧化采用的氧化水溫是()。
A.95度
B.90度
C.80度
D.75度
4.單項(xiàng)選擇題硅暴露在空氣中,在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層,厚度約為()。
A.30nm
B.10nm
C.20nm
D.25nm
5.單項(xiàng)選擇題下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)?()
A.金屬離
B.微粒
C.純度
D.濃度
最新試題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)?()
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進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是()。
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多層陶瓷基板多層化的方法包括()。
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金屬化中可選用的金屬材料有()。
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CMP的設(shè)備構(gòu)成包括()。
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題型:多項(xiàng)選擇題