單項選擇題
如圖所示，設(shè)D1、D2為理想二極管，試求Vo=？（）
A.1V
B.2V
C.3V
D.4V
E.5V
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1.單項選擇題下列有關(guān)半導(dǎo)體之?dāng)⑹?，何者錯誤？（）
A.外質(zhì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性較本質(zhì)半導(dǎo)體好
B.N型半導(dǎo)體的多數(shù)載子為電洞
C.P型半導(dǎo)體加入的雜質(zhì)為受體
D.N型半導(dǎo)體加入的雜質(zhì)為五價元素
2.單項選擇題PN半導(dǎo)體加逆向偏壓時會有些許電流產(chǎn)生，乃是因為（）所引起.
A.正離子
B.負(fù)離子
C.少數(shù)載子
D.多數(shù)載子
3.單項選擇題當(dāng)逆向偏壓從10V減少到5V時，二極管接面的空乏區(qū)將（）
A.變小
B.變大
C.不受影響
D.崩潰
4.單項選擇題三價雜質(zhì)加到硅形成（）
A.鍺
B.P型半導(dǎo)體
C.N型半導(dǎo)體
D.空乏區(qū)
5.單項選擇題當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體接觸時，即會產(chǎn)生一空乏層，而P型半導(dǎo)體之空乏層內(nèi)應(yīng)有（）
A.電洞
B.電子
C.正離子
D.負(fù)離子
最新試題
低頻功率放大器的基本要求通常不包括以下哪一項？（）
題型：單項選擇題
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