試說(shuō)明半導(dǎo)體制造中擴(kuò)散工藝的主要目的。列出并解釋實(shí)際擴(kuò)散工藝的主要步驟，并說(shuō)明個(gè)步驟的主要作用和工藝溫度。

二極管交流等效電路參數(shù)與其靜態(tài)參數(shù)無(wú)關(guān)。

結(jié)電容是常量。

自由電子是載流子，空穴不是。

根據(jù)空位機(jī)制下的總擴(kuò)散系數(shù)公式，給出本征硅，低濃度摻雜，N型重?fù)诫s及P型重?fù)诫s下的擴(kuò)散系數(shù)公式。

試說(shuō)明橫向擴(kuò)散以及橫向擴(kuò)散的主要影響。

在P 型半導(dǎo)體中，空穴濃度大于自由電子濃度。

漂移運(yùn)動(dòng)方向是從N 區(qū)到P 區(qū)。

淀積擴(kuò)散主要受哪些因素的控制？

在PN 結(jié)形成過(guò)程中，空穴的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)方向是從P 區(qū)到N 區(qū)。