試說(shuō)明半導(dǎo)體制造中擴(kuò)散工藝的主要目的。列出并解釋實(shí)際擴(kuò)散工藝的主要步驟，并說(shuō)明個(gè)步驟的主要作用和工藝溫度。

結(jié)電容是常量。

列出并解釋替位雜質(zhì)在硅中的三種主要擴(kuò)散機(jī)制。

淀積擴(kuò)散主要受哪些因素的控制？

本征半導(dǎo)體導(dǎo)電性能很差。

理想二極管模型在直流電路分析中誤差很大，因此不能使用。

根據(jù)空位機(jī)制下的總擴(kuò)散系數(shù)公式，給出本征硅，低濃度摻雜，N型重?fù)诫s及P型重?fù)诫s下的擴(kuò)散系數(shù)公式。

二極管只能通過(guò)直流電，不能通過(guò)交流電。

漂移運(yùn)動(dòng)方向是從N 區(qū)到P 區(qū)。

在PN 結(jié)中，P 區(qū)的電勢(shì)比N 區(qū)高。