單項(xiàng)選擇題在定影操作時(shí),定影時(shí)間一般為()

A.20分鐘
B.底片通透即可
C.通透時(shí)間的2倍
D.30分鐘


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1.單項(xiàng)選擇題顯影操作時(shí),不斷攪動(dòng)底片的目的是()

A.使未曝光的溴化銀粒子脫落; 
B.驅(qū)除附在底片表面的氣孔,使顯影均勻,加快顯影; 
C.使曝過(guò)光的溴化銀加速溶解; 
D.以上全是。

2.單項(xiàng)選擇題在哪一種情況下,底片的有效評(píng)定范圍會(huì)超出搭接標(biāo)記以外()

A.環(huán)縫雙壁單影透照,搭接標(biāo)記放在膠片側(cè);
B.環(huán)縫單壁外透法,搭接標(biāo)記放在膠片側(cè);
C.縱縫單壁外透法,搭接標(biāo)記放在射源側(cè);
D.環(huán)縫中心透照法搭接標(biāo)記放在膠片側(cè)。

3.單項(xiàng)選擇題曝光因子表達(dá)了哪幾個(gè)參數(shù)的相互關(guān)系()

A.管電壓、管電流、曝光時(shí)間;
B.管電壓、曝光量、焦距
C.管電流、曝光時(shí)間、焦距;
D.底片黑度、曝光量、焦距。

4.單項(xiàng)選擇題小徑管環(huán)焊縫雙壁雙影透照時(shí),適合的曝光參數(shù)是()

A.較高電壓、較短時(shí)間;
B.較高電壓、較長(zhǎng)時(shí)間;
C.較低電壓、較短時(shí)間;
D.較低電壓、較長(zhǎng)時(shí)間。

5.單項(xiàng)選擇題控制透照厚度比K值的主要目的是()

A.提高橫向裂紋檢出率; 
B.減小幾何不清晰度; 
C.增大厚度寬容度; 
D.提高底片對(duì)比度。

最新試題

對(duì)含有內(nèi)穿過(guò)式線圈的薄壁管,影響其阻抗變化的因素有()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

在射線照相檢驗(yàn)中,隨著射線能量的提高,得到的圖像不清晰度也將增大。

題型:判斷題

航天無(wú)損檢測(cè)人員的資格分為三個(gè)等級(jí):Ⅰ級(jí)為初級(jí),Ⅱ級(jí)為中級(jí),Ⅲ級(jí)為高級(jí)。其中Ⅱ級(jí)人員應(yīng)具備的能力有()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

一次完整的補(bǔ)焊過(guò)程中缺陷是否排除X光透照確認(rèn)可以不限次數(shù),直至缺陷完全排除。

題型:判斷題

提出有效磁導(dǎo)率的是下列哪位科學(xué)家()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

焊接工藝處理超標(biāo)缺陷必須閱片的主要目的是()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

X射線檢驗(yàn)人員負(fù)責(zé)對(duì)需排除的超標(biāo)缺陷實(shí)施定位、做好相應(yīng)標(biāo)注,確保定位準(zhǔn)確。

題型:判斷題

X射線檢測(cè)圖像直觀、缺陷定性準(zhǔn)確,因此焊接缺陷無(wú)論大小和延伸方向都可以選擇X射線檢測(cè)。

題型:判斷題

為了提高射線照相對(duì)比度,可以采用高電壓、短時(shí)間、大管電流的方式曝光。

題型:判斷題

對(duì)焊接接頭穩(wěn)定時(shí)間有規(guī)定的產(chǎn)品,工藝規(guī)程應(yīng)作出規(guī)定,檢驗(yàn)監(jiān)控確認(rèn),檢驗(yàn)蓋章時(shí)穩(wěn)定時(shí)間不足者應(yīng)在申請(qǐng)單注明穩(wěn)定時(shí)間節(jié)點(diǎn),否則X光室視為穩(wěn)定時(shí)間符合要求。

題型:判斷題