A、流動性
B、凝結(jié)時間
C、黏聚性
D、保水性
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你可能感興趣的試題
A、稠度
B、凝結(jié)時間
C、碳化深度
D、泌水率
A、同一檢驗批只進(jìn)行一組試驗時,應(yīng)將試驗結(jié)果作為檢驗結(jié)果
B、同一檢驗批進(jìn)行了一組以上試驗時,應(yīng)取所有組試驗結(jié)果中的最小值作為檢驗結(jié)果
C、同一檢驗批進(jìn)行了一組以上試驗時,應(yīng)取所有組試驗結(jié)果中的最大值作為檢驗結(jié)果
D、同一檢驗批進(jìn)行了一組以上試驗時,應(yīng)取所有組試驗結(jié)果中的平均值作為檢驗結(jié)果
A、同一檢驗批只進(jìn)行一組試驗時,應(yīng)將試驗結(jié)果作為檢驗結(jié)果
B、同一檢驗批進(jìn)行了一組以上試驗時,應(yīng)取所有組試驗結(jié)果中的最小值作為檢驗結(jié)果
C、同一檢驗批進(jìn)行了一組以上試驗時,應(yīng)取所有組試驗結(jié)果中的最大值作為檢驗結(jié)果
D、同一檢驗批進(jìn)行了一組以上試驗時,應(yīng)取所有組試驗結(jié)果中的平均值作為檢驗結(jié)果
A、對于同一檢驗批只進(jìn)行一組試驗的檢驗項目,應(yīng)將試驗結(jié)果作為檢驗結(jié)果
B、對于同一檢驗批進(jìn)行了一組以上試驗的檢驗項目,應(yīng)取所有組試驗結(jié)果中的最小值作為檢驗結(jié)果
C、對于同一檢驗批進(jìn)行了一組以上試驗的檢驗項目,應(yīng)取所有組試驗結(jié)果中的最大值作為檢驗結(jié)果
D、對于同一檢驗批進(jìn)行了一組以上試驗的檢驗項目,應(yīng)按不同的性能項目取所有組試驗結(jié)果中的最小值或最大值作為檢驗結(jié)果
A、同一檢驗批砼的強(qiáng)度等級、齡期、生產(chǎn)工藝和配合比應(yīng)相同
B、對于同一工程、同一配合比的砼,檢驗批不應(yīng)少于一個
C、對于同一檢驗批,設(shè)計要求的各個檢驗項目應(yīng)至少完成一組試驗
D、對于同一檢驗批,設(shè)計要求的各個檢驗項目應(yīng)至少完成三組試驗
最新試題
可用作硅片的研磨材料是()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
下列哪個不是單晶常用的晶向()
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。