A、規(guī)范砼試驗方法
B、統(tǒng)一砼拌合物性能試驗方法
C、統(tǒng)一砼力學(xué)性能試驗方法
D、提高砼試驗精度和試驗水平
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A、拌合物維勃稠度測定
B、水泥表觀密度測定
C、拌合物含氣量測定
D、細骨料修正系數(shù)(0.16mm以下粉料修正)測定
A、孔徑為5mm和0.16mm的標(biāo)準(zhǔn)篩
B、振動臺
C、臺秤
D、分光光度計
A、山砂配制的
B、骨料含泥量波動大的
C、強度等級高的
D、特細砂配制的
A、水泥/或膠凝材料
B、砼外加劑
C、砂、石骨料
D、水
A、由容器和蓋體兩部分組成
B、容器應(yīng)由軟質(zhì)塑料制成,容積為7L
C、蓋體部分包括有氣室、水找平室、加水閥、排水閥、操作閥、進氣閥、排氣閥及壓力表
D、壓力表的量程為0~6MPa,精度為1MPa
最新試題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
可用作硅片的研磨材料是()
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()