單項(xiàng)選擇題屬于晶體缺陷中面缺陷的是()

A、位錯(cuò)
B、層錯(cuò)
C、肖特基缺陷
D、螺旋位錯(cuò)


您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

1.單項(xiàng)選擇題簡(jiǎn)述光生伏特效應(yīng)中正確的是()

A、用能量小于禁帶寬度的光子照射p-n結(jié);
B、p、n區(qū)都產(chǎn)生電子—空穴對(duì),產(chǎn)生平衡載流子;
C、平衡載流子破壞原來(lái)的熱平衡;
D、非平衡載流子在內(nèi)建電場(chǎng)作用下,n區(qū)空穴向p區(qū)擴(kuò)散,p區(qū)電子向n區(qū)擴(kuò)散;若p-n結(jié)開(kāi)路,在結(jié)的兩邊積累電子—空穴對(duì),產(chǎn)生開(kāi)路電壓。

2.單項(xiàng)選擇題單晶硅晶胞常數(shù)為0.543nm,則(111)的面間距是多少?()

A、0.786nm
B、0.543nm
C、0.941nm
D、0.543nm

3.單項(xiàng)選擇題用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

A、低于
B、等于或大于
C、大于

5.單項(xiàng)選擇題屬于晶體缺陷中面缺陷的是()

A、位錯(cuò)
B、螺旋位錯(cuò)
C、肖特基缺陷
D、層錯(cuò)