單項(xiàng)選擇題只讀存儲(chǔ)器向存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)時(shí)，需要加入（）。
A.使能片選信號(hào)
B.高電壓
C.存儲(chǔ)電荷
D.選通地址
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1.單項(xiàng)選擇題DRAM2116結(jié)構(gòu)圖中增加了刷新計(jì)數(shù)器的目的是（）。
A.周期為每列存儲(chǔ)單元刷新
B.周期為每行存儲(chǔ)單元刷新
C.周期進(jìn)行行譯碼
D.周期讀/寫數(shù)據(jù)
2.單項(xiàng)選擇題單管DRAM位線上的分布電容電荷大，降低了存儲(chǔ)高電平的電位，僅達(dá)到（），因此需要增加靈敏恢復(fù)/放大電路放大電壓，達(dá)到高電平的值。
A.0.1V
B.0V
C.0.2V
D.1V
3.多項(xiàng)選擇題四管動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元電路不需要靈敏恢復(fù)/放大電路的原因是（）。
A.輸出高電平的電位足夠高
B.輸出低電平的電位足夠高
C.電容可以存儲(chǔ)電荷
D.用鎖存器的輸出存儲(chǔ)電平
4.單項(xiàng)選擇題QDR SDRAM為（）。
A.同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
B.異步靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
C.2倍速同步隨機(jī)存儲(chǔ)器
D.4倍速同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
5.單項(xiàng)選擇題可變模計(jì)數(shù)器，或者其他多變化控制電路可用（）輸入條件改變。
A.編程
B.自動(dòng)
C.移位寄存器的輸出
D.復(fù)位
最新試題
卡諾圖法化簡(jiǎn)的時(shí)候，哪一項(xiàng)是錯(cuò)誤的？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
集成同步二進(jìn)制計(jì)數(shù)器74LVC161的TC端口輸出高電平時(shí)，說(shuō)明此時(shí)計(jì)數(shù)器發(fā)生進(jìn)位操作。
題型：判斷題
74LVC163是具有同步清零功能的計(jì)數(shù)器，其余功能與74LVC161相同。則此“同步清零”功能是在（）時(shí)刻完成的。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
基本鎖存器的約束條件是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
左邊的555芯片置位輸入端2腳低電平的上限值是多少？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
?二極管在數(shù)字電路中工作在哪些狀態(tài)？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
組合邏輯電路設(shè)計(jì)的一般步驟包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下圖用D觸發(fā)器構(gòu)建了一個(gè)（）觸發(fā)器。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下圖是一張（）觸發(fā)器的狀態(tài)圖。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
關(guān)于“一對(duì)一”編碼方案的說(shuō)法中，錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題