填空題用來做芯片的高純硅被稱為（），英文簡稱（），有時(shí)也被稱為（）。
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4.多項(xiàng)選擇題由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。
A.微芯片
B.芯片
C.硅片
6.多項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。
A.金屬
B.合金
C.多晶硅
D.金屬硅化物
7.多項(xiàng)選擇題硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。
A.SiO2
B.SiON
C.Si3N4
8.單項(xiàng)選擇題把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。
A.晶體生長、硅錠
B.硅錠、晶體生長
C.晶體生長、晶胞
9.多項(xiàng)選擇題20世紀(jì)上半葉對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。
A.真空管電子學(xué)
B.無線電通信
C.機(jī)械制表機(jī)
D.固體物理
最新試題
試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。
題型：問答題
由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。
題型：問答題
硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。
題型：多項(xiàng)選擇題
設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。
題型：問答題
版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？
題型：問答題
半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。
題型：多項(xiàng)選擇題
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請(qǐng)畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。
題型：問答題
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。
題型：問答題