版圖設(shè)計的基本前提是什么？

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

規(guī)定版圖幾何設(shè)計規(guī)則的意義是什么？

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。