把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動(dòng)能力。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。