半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？