MOS器件存在哪些二階效應？

MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

版圖設計的基本前提是什么？

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？

20世紀上半葉對半導體產業(yè)量展做出貢獻的4種不同產業(yè)主要是（）。

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

集成電容主要有幾種結構？

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

什么是MOS器件的體效應？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。